《华侨大学学报（自然科学版）》
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GaAs
的文章
1
利用SiCl
4
/Ar/H
2
气体ICP干法刻蚀GaAs材料
吕晓敏, 邱伟彬, 王加贤 2013年第2期 [139－142][
摘要
](
2178
)
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pdf
1073KB]
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1110
)
DOI:
10.11830/ISSN.1000-5013.2013.02.0139