[1]谢生,侯玉文,陈朝,等.退火对NiCr薄膜阻值的影响分析[J].华侨大学学报(自然科学版),2009,30(1):27-29.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.2009.01.0027]
　XIE Sheng,HOU Yu-wen,CHEN Chao,et al.Analysis the Influence of Annealing on the Resistance of NiCr Thin Film[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2009,30(1):27-29.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.2009.01.0027]
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退火对NiCr薄膜阻值的影响分析()
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《华侨大学学报（自然科学版）》[ISSN:1000-5013/CN:35-1079/N]

卷:
第30卷
期数:
2009年第1期
页码:
27-29
栏目:
出版日期:
2009-01-20

文章信息/Info

Title:
Analysis the Influence of Annealing on the Resistance of NiCr Thin Film
文章编号:
1000-5013(2009)01-0027-03
作者:
谢生; 侯玉文; 陈朝; 毛陆虹; 陈松岩
天津大学电子信息工程学院; 厦门大学物理系
Author(s):
XIE Sheng1;  HOU Yu-wen1;  CHEN Chao2;  MAO Lu-hong1;  CHEN Song-yan2
1.School of Electronic Information Engineering, Tianjin Unversity, Tianjin 300072, China; 2.Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China
关键词:
镍铬;  薄膜电阻;  热退火;  磁控溅射
Keywords:
NiCr;  film resistance;  annealing;  magnetron sputtering
分类号:
O484.42
DOI:
10.11830/ISSN.1000-5013.2009.01.0027
文献标志码:
A
摘要:
采用磁控溅射方法在Si衬底上沉积NiCr薄膜,通过金属剥离技术制备不同膜厚的NiCr薄膜电阻.对不同膜厚样品退火前后阻值的测试表明,磁控溅射沉积NiCr薄膜的晶粒较小,退火前样品阻值较大.当退火温度超过350℃后,薄膜中的细小晶粒合并为较大的晶粒,晶粒间界面积减小,电阻率也相应减小; 而经过450℃退火5 min后,晶粒尺寸趋于饱和,进一步的退火时间对阻值的变化影响不大.
Abstract:
Ni80Cr20 thin films with different thickness were prepared on Si substrate by magnetron supttering method,and the film resistances were fabricated by lift-off technique.The experimental results showed that the as-deposited grains were small,and therefore the resistance was large.When the annealing temperature exceeded 350 ℃,the small grains merged into a large one,the intercrystalline area decreased,and the resistance decreased drastically.The grain size tended to saturation when the annealing was carried out at 450 ℃ for 5 min,and the influence of annealing time on the resistance can be neglected.

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备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学基金重点资助项目(60736035)
更新日期/Last Update: 2014-03-23