[1]凌朝东,曾德友,李国刚,等.铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计[J].华侨大学学报(自然科学版),2008,29(3):338-341.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.2008.03.0338]
　LING Chao-dong,ZENG De-you,LI Guo-gang,et al.A Design of a Lead-Acid Battery Charging and IC Protecting[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2008,29(3):338-341.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.2008.03.0338]
点击复制

铅酸蓄电池充电与保护集成电路的设计()
分享到：

《华侨大学学报（自然科学版）》[ISSN:1000-5013/CN:35-1079/N]

卷:
第29卷
期数:
2008年第3期
页码:
338-341
栏目:
出版日期:
2008-07-20

文章信息/Info

Title:
A Design of a Lead-Acid Battery Charging and IC Protecting
文章编号:
1000-5013(2008)03-0338-04
作者:
凌朝东; 曾德友; 李国刚; 王加贤
华侨大学信息科学与工程学院; 华侨大学信息科学与工程学院 福建泉州362021; 福建泉州362021
Author(s):
LING Chao-dong;  ZENG De-you;  LI Guo-gang;  WANG Jia-xian
College of Information Science and Engineering, Huaqiao University, Quanzhou 362021, China
关键词:
互补金属氧化物半导体;  浮充充电;  过充;  过放;  过流;  铅酸蓄电池
Keywords:
CMOS;  float-charging;  over-charging;  over-discharging;  over discharging current;  lead-acid battery
分类号:
TM912
DOI:
10.11830/ISSN.1000-5013.2008.03.0338
文献标志码:
A
摘要:
针对蓄电池充电和保护电路的分离及占用较大的面积等问题,采用CSMC公司0.6μm互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计集蓄电池充电和保护功能于一身的集成电路.它既可以实现对免维护铅酸蓄电池的浮充充电及过充、过放、过流保护,也可以解决分立元件构成的电路占用面积大的问题.采用Ca-dence中的Spectre对电路进行模拟仿真,结果表明,当温度在-10~90℃范围内,基准电压随温度的变化呈抛物线的形状,电路的温度得到很好的补偿.
Abstract:
The charger and protector of the storage battery are independent each other at present,and also wasting lots of area.This paper introduces an IC integrated with the abilities of charging and protecting,with the CSMC 0.6 μm model.The IC not only achieves the float-charging and the protection of over-charging,over-discharging,and over-discharging current,but also solves the problem of wasting of area which caused by the independent elements.The electrocircuit is simulated by using the Spectre tools of Cadence.The result shows that the reference voltage varing in parabola with the temperature and the temperature of the circuit compensated well as the temperature between-10~90 degrees.

参考文献/References:

[1] 仇宏, 朱国文. 免维护铅酸电池智能充电器的设计 [J]. 信息技术, 2002(3):24-25.doi:10.3969/j.issn.1009-2552.2002.03.012.
[2] ALLEN P E, HOLBERG D R. CMOS analog circuit design [M]. 北京:电子工业出版社, 2005.375-377.
[3] RAZAVI B, 陈贵灿. Design of analog CMOS integrated circuits [M]. 西安:西安交通大学出版社, 2002.314-319.
[4] 李兵. 基于UC3906 的免维护铅酸蓄电池智能充电器的设计 [J]. 机械工程师, 2005, (11):94-95.doi:10.3969/j.issn.1002-2333.2005.11.049.
[5] 朱军, 刘昊. 一种低功耗的锂离子电池保护电路的设计 [J]. 电子器件, 2004(2):303-305.doi:10.3969/j.issn.1005-9490.2004.02.022.
[6] 曾宏博, 胡锦, 陈迪平. 一种高性能带隙基准的设计与分析 [J]. 电子工程师, 2006(2):9-12.doi:10.3969/j.issn.1674-4888.2006.02.003.

备注/Memo

备注/Memo:
福建省自然科学基金资助项目(A0640005); 厦门市科技计划项目(3502Z20073037)
更新日期/Last Update: 2014-03-23