[1]郭震宁,郭亨群,王加贤,等.硅量子点的介电受限特性[J].华侨大学学报(自然科学版),2001,22(2):143-146.[doi:10.3969/j.issn.1000-5013.2001.02.008]
　Guo Zhenning,GuoHengqun Wang,Jiaxian Zhang,et al.Dielectric Confinement Property of Silicon Quantum Dots[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),2001,22(2):143-146.[doi:10.3969/j.issn.1000-5013.2001.02.008]
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硅量子点的介电受限特性()
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《华侨大学学报（自然科学版）》[ISSN:1000-5013/CN:35-1079/N]

卷:
第22卷
期数:
2001年第2期
页码:
143-146
栏目:
出版日期:
2001-04-20

文章信息/Info

Title:
Dielectric Confinement Property of Silicon Quantum Dots
文章编号:
1000-5013(2001)02-0143-04
作者:
郭震宁; 郭亨群; 王加贤; 张文珍
华侨大学信息科学与工程学院, 泉州362011
Author(s):
Guo Zhenning;  GuoHengqun Wang;  Jiaxian Zhang;  Wenzhen
College of Info. Sci. & Eng., Huaqiao Univ., 362011, Quanzhou
关键词:
硅量子点;  介电常数;  激子
Keywords:
silicon quantum dots;  dielectrie constant;  exciton
分类号:
O471
DOI:
10.3969/j.issn.1000-5013.2001.02.008
摘要:
在有效质量近似的条件下,研究弱束缚类量子点的介电常数与其半径的关系 .通过室温下测得的硅量子点的光荧光光谱,计算硅量子点的介电常数,证实硅量子点介电常数的尺度效应 .
Abstract:
Under the condition of effectivemass approximation,the authors studied the relation between dielectric constant of loosely bounded quantum dots and their radii; and calculated the dielectric constant of silicon quantum dots by way of photoluminescent spectra of silicon quantum dots determined at room temperature; and confirmed the dimensional effect of the dielectric constant of silicon quantum dots.

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学重大科研基金; 集成光电子学国家重点实验室开放课题
更新日期/Last Update: 2014-03-23