[1]周赢武,郭亨群.a-Si/SiO2多量子阱材料光致发光特性[J].华侨大学学报(自然科学版),1999,20(3):237-239.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.1999.03.0237]
 Zhou Yingwu,Guo Hengqun.Photoluminescence Characteristic of a Si/SiO 2 Multiple Quantum Well Material[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),1999,20(3):237-239.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.1999.03.0237]
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a-Si/SiO2多量子阱材料光致发光特性()
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《华侨大学学报(自然科学版)》[ISSN:1000-5013/CN:35-1079/N]

卷:
第20卷
期数:
1999年第3期
页码:
237-239
栏目:
出版日期:
1999-07-20

文章信息/Info

Title:
Photoluminescence Characteristic of a Si/SiO 2 Multiple Quantum Well Material
作者:
周赢武郭亨群
华侨大学电气技术系
Author(s):
Zhou Yingwu Guo Hengqun
关键词:
a-Si/SiO2多量子阱 光致发光 量子限制效应
Keywords:
a Si/SiO 2 multiple quantum well photoluminescence quantum confinement effect
分类号:
O472.3
DOI:
10.11830/ISSN.1000-5013.1999.03.0237
摘要:
近年来硅发光已成为理论和材料研究的一个新热点,a-Si/SiO2多量子阱材料就是人们研制出的一种新的量子结构.有关理论表明,a-Si/SiO2多量子阱中硅层(阱层)的电子和空穴都受到很强的量子限制效应,硅层能带有可能由体硅的间接带隙转变为准直接带隙,该量子阱材料有可能具有较强的光致发光特性.在77K温度下实验,观察到a-Si/SiO2多量子阱材料的光致发光,光致发光锋的半峰宽(FWHM)为10nm.将其与同温度下的纳米硅薄膜的光致发光进行了对比,发现前者的光致发光峰的半峰宽较窄.文中也对a-Si/SiO2
Abstract:
Silicon luminescence has become a hot spot in theoretical and material studies in the recent years, and the a Si/SiO 2 multiple quantum well (MQW) material has been developed to be a new structure. Theoretically, both electrons and holes of Si layer (well

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备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学重点课题基金
更新日期/Last Update: 2014-03-22