[1]叶天水,郭亨群,曾锦川.非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究[J].华侨大学学报(自然科学版),1990,11(2):135-141.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.1990.02.0135]
Ye Tianshui,Guo Hengqun,Zeng Jinchuan.A Study of Photoelectric Characteristics of Amorphous CdSe Film[J].Journal of Huaqiao University(Natural Science),1990,11(2):135-141.[doi:10.11830/ISSN.1000-5013.1990.02.0135]
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非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究(
)
《华侨大学学报（自然科学版）》[ISSN:1000-5013/CN:35-1079/N]
- 卷:
-
第11卷
- 期数:
-
1990年第2期
- 页码:
-
135-141
- 栏目:
-
- 出版日期:
-
1990-04-20
文章信息/Info
- Title:
-
A Study of Photoelectric Characteristics of Amorphous CdSe Film
- 作者:
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叶天水; 郭亨群; 曾锦川
-
华侨大学应用物理系; 华侨大学应用物理系
- Author(s):
-
Ye Tianshui; Guo Hengqun; Zeng Jinchuan
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- 关键词:
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非晶态半导体; 光电特性; 超快光电探测器
- Keywords:
-
non-crystalline semiconductor; photoelectric characteristics; ultrafast photoelectric detector
- DOI:
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10.11830/ISSN.1000-5013.1990.02.0135
- 摘要:
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本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。
- Abstract:
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The authors report an amorphous CdSe film deposited by vaeuum thermal vaporation, and study especially the influence of substrate depositing temperature and annealing process on the photoelectric characteristics of the film. It is indicated by spectroscop
备注/Memo
- 备注/Memo:
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国家自然科学基金
更新日期/Last Update:
2014-03-22